reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

About The : 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.75mm, MPN: STW33N60M2

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

Category
Instockinstock

Last Updated

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247
More Varieties

Rating :- 9.62 /10
Votes :- 42