STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.75mm, MPN: STW33N60M2
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STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247
Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247 | |
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