Infineon IPD068N10N3 G IPD068N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 12,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPD068N10N3 G IPD068N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon IPD068N10N3 G IPD068N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |