ROHM RS1P600BE RS1P600BETB1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 35 W, 8-Pin HSOP8, Drain-Source-Widerstand max.: 9,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.8mm, Betriebstemperatur max.: 150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RS1P600BE RS1P600BETB1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 35 W, 8-Pin HSOP8
Specifications of ROHM RS1P600BE RS1P600BETB1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 35 W, 8-Pin HSOP8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |