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Toshiba Transistor MOSFET TPCA8006-H(TE12L,Q,M), VDSS 100 V, ID 18 A, SOP Avanzado De 8 Pines

About The Toshiba Transistor MOSFET TPCA8006-H(TE12L,Q,M), VDSS 100 V, ID 18 A, SOP avanzado de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 67 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 12 nC a 10 V

Toshiba Transistor MOSFET TPCA8006-H(TE12L,Q,M), VDSS 100 V, ID 18 A, SOP avanzado de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 67 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 12 nC a 10 V

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Toshiba Transistor MOSFET TPCA8006-H(TE12L,Q,M), VDSS 100 V, ID 18 A, SOP Avanzado De 8 Pines

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Specifications of Toshiba Transistor MOSFET TPCA8006-H(TE12L,Q,M), VDSS 100 V, ID 18 A, SOP Avanzado De 8 Pines

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Toshiba Transistor MOSFET TPCA8006-H(TE12L,Q,M), VDSS 100 V, ID 18 A, SOP Avanzado De 8 Pines
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Phoenix Contact Borne enchufable para PCB serie IMCV 1.5/11-G-3.5 P20 THR de 11 vías, paso 3.5mm, para soldar, Tipo de borne enchufable para PCB: Conector invertido, Orientación del Cuerpo: Recto, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Método de Terminación: Soldador, Valor Nominal de Corriente: 8.0A, Tensión Nominal: 320,0 V., MPN: 1830809
    • Texas Instruments Multiplexor SN74HC157N, PDIP 16 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 19.3 x 6.35 x 4.57mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Longitud: 19.3mm, Ancho: 6.35mm
    • 2m, Resolución Máxima: 4K

    2m, Resolución Máxima: 4K

    RS PRO Cable HDMI Negro, con. B: Mini HDMI Macho, long.RS PRO Cable HDMI Negro, con.

    • Toshiba MOSFET 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple

    Toshiba MOSFET 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple

    Toshiba MOSFET 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • Welwyn Resistencia, de 150Ω ±5%, 10.5W, Serie W20, Tecnología: Bobinado, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +200°C, Coeficiente de Temperatura: ±200ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: W23-150RJI
    • Genteq Condensador de película, 15μF, ±6%, 440V ac, Capacitancia: 15µF, Serie: GEM III 97F9000, Altura: 73.16mm, Dieléctrico: Polipropileno, Tipo terminal: Conexión rápida, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +70°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: 97F9626S
    • Toshiba Transistor MOSFET TPCA8006-H(TE12L,Q,M), VDSS 100 V, ID 18 A, SOP avanzado de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 67 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 12 nC a 10 V
    • Facom Destornillador aislado, tipo Destornillador aislado, punta plana 3,5 mm, hoja de 100 mm, aprobado VDE, Tipo de Punta: Ranurado, Aprobado VDE/1000V: Sí, Longitud Global: 204 mm, Material del Mango: Polímero, MPN: AT3.5x100TVE
    • Toshiba Transistor MOSFET TPCA8006-H(TE12L,Q,M), VDSS 100 V, ID 18 A, SOP avanzado de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 67 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 12 nC a 10 V
    • Facom Destornillador aislado, tipo Destornillador aislado, punta plana 3,5 mm, hoja de 100 mm, aprobado VDE, Tipo de Punta: Ranurado, Aprobado VDE/1000V: Sí, Longitud Global: 204 mm, Material del Mango: Polímero, MPN: AT3.5x100TVE