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Onsemi MOSFET NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

About The .onsemi MOSFET NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config

onsemi MOSFET NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 82 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 313 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 81 nC @ 10 V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 14, long. 32mm, de acero

RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 14, long. 32mm, de acero

RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 14, long. 32mm, de acero, Longitud imperial: 1.3mm, Acabado: Galvanizado brillante.1/4pulgada, Tamaño de la Rosca (mm): 6.

    • RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 12, long. 25mm, de acero

    RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 12, long. 25mm, de acero

    RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 12, long.5mm, Acabado: Galvanizado brillante. 25mm, de acero, Longitud imperial: 1pulgada, Tamaño de la Rosca (mm): 5.

    • Gefran Sensor de presión para extrusión Presión de extrusión, 0bar → 500bar, 10 → 30 V., salida Corriente, para, Precisión: ±0,5%, Media Medido: Líquido, Índice de Protección IP: IP65, MPN: KE1-6-M-B05C-1-4-F-S-P 2130B000S00
    • Gefran Sensor de presión para extrusión Presión de extrusión, 0bar → 100bar, 10 → 30 V., salida Corriente, para, Precisión: ±0,5%, Media Medido: Líquido, Índice de Protección IP: IP65, MPN: KE1-6-M-B01C-1-4-D-S 2130X000S00
    • RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 10, long. 45mm, de acero

    RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 10, long. 45mm, de acero

    8mm, Acabado: Galvanizado brillante. 45mm, de acero, Longitud imperial: 1.3/4pulgada, Tamaño de la Rosca (mm): 4.

    • RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 10, long. 38mm, de acero

    RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 10, long. 38mm, de acero

    38mm, de acero, Longitud imperial: 1.1/2pulgada, Tamaño de la Rosca (mm): 4.RS PRO Tornillo autorroscante de cabeza alomada, rosca UTS 10, long.8mm, Acabado: Galvanizado brillante.

    • onsemi MOSFET NVHL027N65S3F, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVHL027N65S3F, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVHL027N65S3F, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 27,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • onsemi MOSFET NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

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    onsemi MOSFET NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 81 nC @ 10 V. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 82 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 313 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10.

    • onsemi MOSFET NVHL027N65S3F, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVHL027N65S3F, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVHL027N65S3F, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 27,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • onsemi MOSFET NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

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    onsemi MOSFET NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 81 nC @ 10 V. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 82 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 313 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10.