Onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN De 8 Pines, 2elementos, Config. Doble
About The Doble, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 31,5 mo, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config
onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 31,5 mo, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN De 8 Pines, 2elementos, Config. Doble
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Specifications of Onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN De 8 Pines, 2elementos, Config. Doble | |
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