onsemi MOSFET NVD5C684NLT4G, VDSS 60 V, ID 38 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 24,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 27 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101
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Onsemi MOSFET NVD5C684NLT4G, VDSS 60 V, ID 38 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET NVD5C684NLT4G, VDSS 60 V, ID 38 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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