Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
About The Infineon Módulo transistor IGBT, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 305 W, MPN: IKW50N65F5FKSA1
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Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT
Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
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Specifications of Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3 | |
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