Infineon MOSFET BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines,, config. Simple, Serie: OptiMOS P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2.9mm
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Infineon MOSFET BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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