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Semtech Diodo TVS Unidireccional, SMF05C.TCT, 100W, SOT-363 (SC-70), 6-Pines

About The 5V, Tensión Mínima de Ruptura: 6V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 8A, Protección ESD: Sí, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Dimensiones: 2 x 1.9mm, MPN: SMF05C

Semtech Diodo TVS Unidireccional, 100W, SOT-363 (SC-70), 6-Pines, Configuración de diodo: Ánodo común, Tensión Residual Máxima: 12.5V, Tensión Mínima de Ruptura: 6V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 8A, Protección ESD: Sí, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.9mm, MPN: SMF05C.TCT

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos TVS

Semtech Diodo TVS Unidireccional, SMF05C.TCT, 100W, SOT-363 (SC-70), 6-Pines

More from Semtech: Semtech Diodo TVS Unidireccional, 100W, SOT-363 (SC-70), 6-Pines, Configuración De Diodo: Ánodo Común, Tensión Residual Máxima: 12.5V, Tensión Mínima De Ruptura: 6V, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Corriente De Pulsos De Pico Máxima: 8A, Protección ESD: Sí, Temperatura De Funcionamiento Mínima: -55 °C, Temperatura Máxima De Funcionamiento: +125 °C, Dimensiones: 2 X 1.25 X 0.9mm, MPN: SMF05C.TCT
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Specifications of Semtech Diodo TVS Unidireccional, SMF05C.TCT, 100W, SOT-363 (SC-70), 6-Pines

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Samtec Conector hembra para PCB Ángulo de 90° serie SSW, de 60 vías en 2 filas, paso 2.54mm, 550 V, 6.9A, Montaje en, Tipo: Placa a placa, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Método de Terminación: Soldador, Material del Contacto: Bronce, Revestimiento del Contacto: Oro (contacto), Chapado en oro (extremo), MPN: SSW-130-02-G-D-RA
    • Taiwan Semiconductor Diodo, 1A, 600V Conexión de silicio, 35ns, DO-214AC (SMA), 2-Pines 1.7V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 30A, MPN: ES1J R3
    • onsemi MOSFET NVMFD6H840NLT1G, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

    onsemi MOSFET NVMFD6H840NLT1G, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

    1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6. Doble, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • onsemi MOSFET NTMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 313 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NTMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 313 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    2V, Disipación de Potencia Máxima: 167 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.

    • onsemi MOSFET NTMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 313 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NTMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 313 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NTMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 313 A, DFN de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 850 μΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 167 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.