Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 4,1 A 5 W, 8-Pin SOIC
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onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 4,1 A 5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 126 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, Länge: 4mm, MPN: FDS86242
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 4,1 A 5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 4,1 A 5 W, 8-Pin SOIC | |
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