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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3

About The : 2.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SiZ348DT-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3

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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3
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