Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.67mm, MPN: SQM40022EM_GE3
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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
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