Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 110 A D2-Pak

Name: Infineon - Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 110 A D2-Pak, MPN: IRFS7540TRLPBF
Brand: Infineon
SKU: ABDT-10349
Price: 112.80 EUR
Availability: InStock

About The Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 110 A D2-Pak, MPN: IRFS7540TRLPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 110 A D2-Pak, MPN: IRFS7540TRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Fluke 417D LCD Laser Entfernungsmesser, metrisch/zöllig, Klasse 2, 635nm, Genauigkeit: ±2 mm, Messbereich: 0.2 → 40m, Betriebsart: Akku, Gewicht: 95g, Metrisch-zöllig Umrechnung: Ja, MPN: FLUKE-417D

TE Connectivity Dickschicht SMD Festwiderstand, 0612 (1632M) Gehäuse, MPN: 3430B2ZTD

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 110 A D2-Pak
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Last Updated December 27th, 2024 08:00 pm

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 110 A D2-Pak

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Microchip Mikrocontroller PIC16F PIC 8bit THT 128 x 8 Wörter, 2048 x 14 Wörter PDIP 18-Pin 4MHz 224 B RAM, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Versorgungsspannnung typ.: 3 → 5,5 V, Abmessungen: 22.99 x 6.6 x 3.68mm, MPN: PIC16F628-04/P

Microchip Mikrocontroller PIC16F PIC 8bit THT 128 x 8 Wörter, 2048 x 14 Wörter PDIP 18-Pin 4MHz 224 B RAM.

Molex Mini-Fit Jr. Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 2-polig / 2-reihig, Raster 4.2mm, Kabel-Platine,

2mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Nennstrom: 9.

Cosel MGS DC/DC-Wandler 10W 24 V dc IN, 5V dc OUT / 2A PCB-Montage 1kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 18 → 36 V dc, Isolationsspannung: 1kV dc, Montagetyp: Leiterplattenmontage, Wirkungsgrad: 89%, Gehäuse: SIP 8, Lastausregelung: 20mV, Temperatur min.: -40°C, Temperatur max.: +85°C, Tiefe: 12mm, Länge: 22mm, MPN: MGS102405

Cosel MGS DC/DC-Wandler 10W 24 V dc IN, 5V dc OUT / 2A PCB-Montage 1kV dc isoliert.

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 40 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, MPN: IRLHM630TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 40 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm.

TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 75Ω ±0.1% / 0.4W ±10ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: 6-2176388-9

4W ±10ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse.1% / 0.TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 75Ω ±0.

TE Connectivity Dickschicht SMD Festwiderstand, 0612 (1632M) Gehäuse, MPN: 3430B2ZTD

TE Connectivity Dickschicht SMD Festwiderstand, 0612 (1632M) Gehäuse.