Vishay Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF / 40V Dc

Name: Vishay - Vishay Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF / 40V Dc, Kapazität: 100µF, Spannung: 40V dc, Abmessungen: 8 X 11mm, MPN: MAL202127101E3
Brand: Vishay
SKU: ABDT-10775
Price: 966.00 EUR
Availability: InStock

About The Vishay Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF / 40V dc, Kapazität: 100µF, Spannung: 40V dc, Abmessungen: 8 x 11mm, MPN: MAL202127101E3

Vishay Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF / 40V dc, Kapazität: 100µF, Spannung: 40V dc, Abmessungen: 8 x 11mm, MPN: MAL202127101E3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Kondensatoren > Aluminium Elektrolytkondensatoren

Molex VersaKrimp Ringkabelschuh, Unisoliert, aussen ø 7.92mm, innen ø 4.39mm, max. 2.5mm², M4 (#8)

Transcend SSD460K, 2,5 Zoll Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 256 GB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS256GSSD460K

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Kondensatoren > Aluminium Elektrolytkondensatoren

Specifications of Vishay Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF / 40V Dc
Category
Instock	instock

Last Updated January 16th, 2025 10:49 am

Vishay Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF / 40V Dc

More Varieties

Rating :- 9.74 /10

Votes :- 38

Nexperia BC846DS SMD, NPN Transistor Dual 65 V / 100 mA 100 MHz, SOT-457 (SC-74) 6-Pin, Verlustleistung max.: 380 mW, Gleichstromverstärkung min.: 200, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 80 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.1 x 1.7 x 1.1mm

Nexperia BC846DS SMD, NPN Transistor Dual 65 V / 100 mA 100 MHz, SOT-457 (SC-74) 6-Pin.

ROHM MCR Dickschicht SMD-Widerstand 1MΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: MCR18EZPF1004

25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse.

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 20.3mm, MPN: IRFP4227PBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC.

Transcend MTS970T, M.2 Intern SSD-Laufwerk SATA III Industrieausführung, 2 TB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS2TMTS970T

Transcend MTS970T, M.2 Intern SSD-Laufwerk SATA III Industrieausführung, 2 TB, SSD.

Transcend MTE710T, M.2 Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 2 TB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS2TMTE710T

2 Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 2 TB, SSD.Transcend MTE710T, M.

Transcend SSD460K, 2,5 Zoll Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 256 GB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS256GSSD460K

Transcend SSD460K, 2,5 Zoll Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 256 GB, SSD.