Transcend MTE710T, M.2 Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 2 TB, SSD

Name: Transcend MTE710T, M.2 Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 2 TB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS2TMTE710T | Transcend
Brand: Transcend
SKU: ABDT-10777
Price: 478.28 EUR
Availability: InStock

About The Transcend MTE710T, M.2 Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 2 TB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS2TMTE710T

Transcend MTE710T, M.2 Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 2 TB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS2TMTE710T

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Specifications of Transcend MTE710T, M.2 Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 2 TB, SSD
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Last Updated December 30th, 2024 06:28 am

Transcend MTE710T, M.2 Intern SSD-Laufwerk Industrieausführung, 2 TB, SSD

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Gates Super HC Antriebsriemen, SPZ-Profil 9.7mm x 8mm x 1400mm, Außenlänge: 1413mm, Innenlänge: 1399mm, MPN: 9331-01437

7mm x 8mm x 1400mm.Gates Super HC Antriebsriemen, SPZ-Profil 9.

Nexperia BC846DS SMD, NPN Transistor Dual 65 V / 100 mA 100 MHz, SOT-457 (SC-74) 6-Pin, Verlustleistung max.: 380 mW, Gleichstromverstärkung min.: 200, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 80 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.1 x 1.7 x 1.1mm

Nexperia BC846DS SMD, NPN Transistor Dual 65 V / 100 mA 100 MHz, SOT-457 (SC-74) 6-Pin.

ROHM MCR Dickschicht SMD-Widerstand 1MΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: MCR18EZPF1004

ROHM MCR Dickschicht SMD-Widerstand 1MΩ ±1% / 0.

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 20.3mm, MPN: IRFP4227PBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC.

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 20.3mm, MPN: IRFP4227PBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC.

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Gates Super HC Antriebsriemen, SPZ-Profil 9.7mm x 8mm x 1400mm, Außenlänge: 1413mm, Innenlänge: 1399mm, MPN: 9331-01437

Nexperia BC846DS SMD, NPN Transistor Dual 65 V / 100 mA 100 MHz, SOT-457 (SC-74) 6-Pin, Verlustleistung max.: 380 mW, Gleichstromverstärkung min.: 200, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 80 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.1 x 1.7 x 1.1mm

ROHM MCR Dickschicht SMD-Widerstand 1MΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: MCR18EZPF1004