Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Vishay, Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand Max.: 750 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C, MPN: IRFB9N60APBF
Brand: Vishay
SKU: ABDT-110242
Price: 2.53 EUR
Availability: InStock

About The : 750 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C, MPN: IRFB9N60APBF

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 750 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFB9N60APBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Legrand DIN-Schienen-Trafo, 100VA, Primär 230V ac, 400V ac / Sekundär 24V ac DIN-Hutschiene, 113mm x 94mm x 94mm, Abmessungen: 113 x 94 x 94mm, Temperatur max.: +50°C, Gewicht: 2kg, MPN: 0 442 33

Nexperia PEMZ7,315 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 12 V / 500 mA 420 MHz, SOT-666 6-Pin, Verlustleistung max.: 200 mW, Kollektor-Basis-Spannung max.: 15 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin TO-220AB
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Last Updated December 30th, 2024 06:18 pm

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

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StarTech.com HDMI-Kabel A HDMI Stecker B Micro-USB B Stecker Hohe Geschwindigkeit 1080p @ 60Hz max., 3m, Schwarz, Außenmantelmaterial: PVC, Litzengröße: 24 AWG, 30 AWG, MPN: MHDPMM3M

StarTech.com HDMI-Kabel A HDMI Stecker B Micro-USB B Stecker Hohe Geschwindigkeit 1080p @ 60Hz max., 3m, Schwarz.

Nexperia PEMD13,115 SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SOT-666 6-Pin, Verlustleistung max.: 200 mW, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Basis-Emitter-Widerstand: 47kΩ, Abmessungen: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 4,7 kΩ

Nexperia PEMD13,115 SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SOT-666 6-Pin.

Texas Instruments LVDS-Sender Dual CMOS, TTL LVDS, 155Mbit/s SMD 2 Elem./Chip, SOIC 8-Pin, Interface: Sender-IC, Abmessungen: 4.9 x 3.9 x 1.45mm, Länge: 4.9mm, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Arbeitsspannnung min.: 4,5 V, MPN: DS90C401M/NOPB

/Chip, SOIC 8-Pin.Texas Instruments LVDS-Sender Dual CMOS, TTL LVDS, 155Mbit/s SMD 2 Elem.

Vishay 158 PUL-SI Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 4700μF ±20% / 50V dc, Ø 30mm x 32mm, bis 105°C, Kapazität: 4700µF, Spannung: 50V dc, Abmessungen: 30 (Dia.) x 32mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 10mm, Lebensdauer: 5000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 74mΩ, Leckstrom: 0,47 mA, Brummstrom: 3.24 A @ 100 Hz, 3.95 A @ 10 kHz, MPN: MAL215831472E3

Vishay 158 PUL-SI Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 4700μF ±20% / 50V dc, Ø 30mm x 32mm, bis 105°C.

OPTIBELT Zahnriemen 58 Zähne, Teilung 2.5mm, Maße 12mm x 145mm, MPN: 12 T2,5 / 145

OPTIBELT Zahnriemen 58 Zähne, Teilung 2.5mm, Maße 12mm x 145mm.

Nexperia PEMZ7,315 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 12 V / 500 mA 420 MHz, SOT-666 6-Pin, Verlustleistung max.: 200 mW, Kollektor-Basis-Spannung max.: 15 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Nexperia PEMZ7,315 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 12 V / 500 mA 420 MHz, SOT-666 6-Pin.