Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,033 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD33CN10NGATMA1
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Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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