Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
About The Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPB065N15N3GATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
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Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7 | |
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