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DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 450 MA 700 MW, 3-Pin TO-92

About The : +150 °C, MPN: ZVN4210A.: 2

DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 450 mA 700 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.95mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN4210A

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 450 MA 700 MW, 3-Pin TO-92

More from DiodesZetex | DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 450 MA 700 MW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand Max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.95mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C, MPN: ZVN4210A
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Specifications of DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 450 MA 700 MW, 3-Pin TO-92

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DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 450 MA 700 MW, 3-Pin TO-92
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onsemi Spannungsregler 300mA, 1 Niedrige Abfallspannung TSOT-23, 5-Pin, Fest, Ausgangsspannung: 3,3 V, Line-Regulation: 10 mV, Genauigkeit: ±2%, Montage-Typ: SMD, Ruhestrom: 8µA, Abmessungen: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Eingangsspannung max.: 24 V, MPN: NCP718ASN330T1G
    • TE Connectivity Header; Breakaway; 0.100 in.; PC Board; Single; 40; 0.025 in.; 0.12 in.; 3 A, MPN: 9-146278-0
    • RS PRO Ringkerntransformator, Primär 230V ac / Sekundär 2 x 25V ac, 225VA 2 Ausg., 4.5A 2.3kg 120 (Dia.) x 50mm 60Hz, Durchmesser: 120mm, Betriebsfrequenz min.: 50Hz, Anschlussart: Kupfer-Drahtanschluss
    • DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 600 mA 700 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN4206A
    • DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 600 mA 700 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN4206A