Vishay E-Series N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB
About The : 4V, MPN: SIHP5N80AE-GE3.Vishay E-Series N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max
Vishay E-Series N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 1,35 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: SIHP5N80AE-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E-Series N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay E-Series N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
