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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRF1407STRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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