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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-252

About The Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD80R750P7ATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-252

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Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-252

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