Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD80R750P7ATMA1
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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-252 | |
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