Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220
About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max
onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FCP165N65S3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
