Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 Lm 3535 5000mW

Name: Cree LED - Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 Lm 3535 5000mW, Anzahl Der Pins: 2, Linsenform: Dom, Oberflächenfarbe: 6200K, Linsenfarbe: Klar, MPN: XTEAWT-00-0000-000000G50
Brand: Cree LED
SKU: ABDT-118140
Price: 624.00 EUR
Availability: InStock

About The Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 lm 3535 5000mW, Anzahl der Pins: 2, Linsenform: Dom, Oberflächenfarbe: 6200K, Linsenfarbe: Klar, MPN: XTEAWT-00-0000-000000G50

Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 lm 3535 5000mW, Anzahl der Pins: 2, Linsenform: Dom, Oberflächenfarbe: 6200K, Linsenfarbe: Klar, MPN: XTEAWT-00-0000-000000G50

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Panasonic ERJ Dickschicht SMD-Widerstand 107Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJ6ENF1070V

Festo Quetschventil Dichtungspatrone Typ Dichtungspatrone Serie VAVC, Zur Verwendung mit: Quetschventile der Serie VZQA, MPN: VAVC-Q2-M22U-15-N

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Specifications of Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 Lm 3535 5000mW
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Last Updated February 2nd, 2025 10:38 am

Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 Lm 3535 5000mW

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STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 30V / 1A, 2-Pin DO-214AA (SMB), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 75A, MPN: STPS1L30U

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Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,111 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IMZA65R083M1HXKSA1

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 4-Pin TO-247-4.

Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 Lm 3535 5000mW

About The Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 lm 3535 5000mW, Anzahl der Pins: 2, Linsenform: Dom, Oberflächenfarbe: 6200K, Linsenfarbe: Klar, MPN: XTEAWT-00-0000-000000G50

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Specifications of Cree LED XLamp XT-E SMD LED Weiß, 130 Lm 3535 5000mW

STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 30V / 1A, 2-Pin DO-214AA (SMB), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 75A, MPN: STPS1L30U

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,111 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IMZA65R083M1HXKSA1

Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 175 → 280 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 90 A 37 kW 1 NC (Öffner), MPN: 3RT2038-1SP30

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Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 28 A, 4-Pin TO-247-4, MPN: IMZA65R072M1HXKSA1