Vishay SQ Rugged P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3 A 2 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 92 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.45V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: SQ2315ES-T1_GE3
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Vishay SQ Rugged P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3 A 2 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay SQ Rugged P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3 A 2 W, 3-Pin SOT-23 | |
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