Infineon CoolMOS™ N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 99,6 A, 3-Pin TO-247
About The : 0,11 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4
Infineon CoolMOS™ N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 99,6 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, MPN: IPW65R110CFDAFKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 99,6 A, 3-Pin TO-247
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Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 99,6 A, 3-Pin TO-247 | |
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