Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247

Name: Infineon - Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247, MPN: IPW60R099P6XKSA1
Brand: Infineon
SKU: ABDT-120305
Price: 63.48 EUR
Availability: InStock

About The Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247, MPN: IPW60R099P6XKSA1

Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247, MPN: IPW60R099P6XKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

SMC MGP, M5 x 0,8 Pneumatik-Führungszylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 16mm / Hub 50mm, bis 1 MPa, Ausführung: Zweifach, Endlagendämpfung: Gummidämpfer, Abmessungen: 96 x 62 x 25mm, Gewicht: 510g, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Länge: 96mm, Absoluter Druck (max.): 1.5MPa, Betriebstemperatur (min.): -10°C, Breite: 62mm, MPN: MGPM16-50Z

Eaton Motor-Bremsmodul, 0,8 kW, 600 V, MPN: 171907 DX-BR100-0K8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247
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Last Updated January 12th, 2025 05:38 am

Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 51kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW040251K0FKED

063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 51kΩ ±1% / 0.

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 6.8kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW04026K80FKED

063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse.

ams OSRAM OSRAM SMD LED 1,7 V, Cluster 8-LEDs 2835, MPN: Q65113A1050

ams OSRAM OSRAM SMD LED 1,7 V, Cluster 8-LEDs 2835.

FAG Selbstausrichtendes Kugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 80mm, Breite 31mm, Dichtungsanordnung: Offene Bauweise, Lagerspiel: C3, Material: Stahl, Käfigmaterial: Polyamid, Statische Traglast: 11.2kN, Dynamische Traglast: 40.5kN, Bohrung Typ: Konisch, Lager-Serie: 3 Mittel, Teillagercode: 2307, MPN: 2307-K-TVH-C3

FAG Selbstausrichtendes Kugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 80mm, Breite 31mm.

FAG Selbstausrichtendes Kugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 80mm, Breite 31mm, Dichtungsanordnung: Offene Bauweise, Lagerspiel: C3, Material: Stahl, Käfigmaterial: Polyamid, Statische Traglast: 11.2kN, Dynamische Traglast: 40.5kN, Bohrung Typ: Konisch, Lager-Serie: 3 Mittel, Teillagercode: 2307, MPN: 2307-K-TVH-C3

FAG Selbstausrichtendes Kugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 80mm, Breite 31mm.

Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247

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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 51kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW040251K0FKED

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 6.8kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW04026K80FKED

ams OSRAM OSRAM SMD LED 1,7 V, Cluster 8-LEDs 2835, MPN: Q65113A1050