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Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal

About The 58mm, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: AFGB40T65SQDN.65mm, Höhe: 4

onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: SMD, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 10.67mm, Breite: 9.65mm, Höhe: 4.58mm, Abmessungen: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: AFGB40T65SQDN

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal

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Specifications of Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal

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