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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 73 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD096N08N3GATMA1.: 0,0096 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 73 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0096 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD096N08N3GATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 73 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 73 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 73 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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PREVOST Y-förmige Sicherheitsschnellkupplung Gehäuse aus Verbundwerkstoff, G1/2 Buchse, Mit Gewinde Euro 7.2, Euro 7.4, Gewindegröße: 1/2Zoll, Kupplungstyp: Schnellverschluss-Kupplungsbuchse, Serie: prevoS1 ESI 07, Standardgewinde: BSP, Betriebsdruck (max.): 12bar, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Dichtungsmaterial: NBR, Schlauchrückschlagschutz: Ja, Betriebstemperatur (max.): +70°C, MPN: ESI 078103
    • MikroElektronika Entwicklungstool HMI Vibro Motor 4 Click Human Machine Interface Entwicklungsplatine Linear Resonant, Vorgestelltes Gerät: Linear Resonant Actuator, Zum Einsatz mit: mikroBUS-Socket, MPN: MIKROE-4825
    • SAM R-6 1/4 Zoll Standardbuchse Steckschlüsseleinsatz SW 6mm 6-Punkt x 25 mm, Metrisch oder zöllig: metrisch, Antriebstyp: Sechskant
    • Bud Gehäuse,Grau- 4.53x3.54x2.17, MPN: AN-1304-G

    Bud Gehäuse,Grau- 4.53x3.54x2.17, MPN: AN-1304-G

    54x2.Bud Gehäuse,Grau- 4.53x3.17.

    • SAM für Verlängerungen, lange Muffen NM-22L bis NS-65L, kurze Muffen NM-21 bis NM-70, MPN: MJ-54

    SAM für Verlängerungen, lange Muffen NM-22L bis NS-65L, kurze Muffen NM-21 bis NM-70, MPN: MJ-54

    SAM für Verlängerungen, lange Muffen NM-22L bis NS-65L, kurze Muffen NM-21 bis NM-70.

    • ams OSRAM OSRAM OSCONIQ P 3030 SMD LED Blau 2,93 V, MPN: GB QSSPA1.13-HYJX-B1B4-1-350-R18
    • Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 73 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0096 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD096N08N3GATMA1
    • Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.0mm, Ummantelt, MPN: T1M-10-GF-DV-K

    Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.0mm, Ummantelt, MPN: T1M-10-GF-DV-K

    0mm, Ummantelt.Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.

    • Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 73 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0096 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD096N08N3GATMA1
    • Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.0mm, Ummantelt, MPN: T1M-10-GF-DV-K

    Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.0mm, Ummantelt, MPN: T1M-10-GF-DV-K

    Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.0mm, Ummantelt.