Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 99 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, MPN: IPW60R099CP
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Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-247 | |
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