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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

About The : 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSP171PH6327XTSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
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Abbatron Recessed; Rubber; 1/2 in.; 1/4 in.; 1/4 in.; 1/8 in.; 1/8 in.; Black, MPN: 2192

Abbatron Recessed; Rubber; 1/2 in.; 1/4 in.; 1/4 in.; 1/8 in.; 1/8 in.; Black, MPN: 2192

; 1/8 in.; Black.Abbatron Recessed; Rubber; 1/2 in.; 1/4 in.

    • Roth Elektronik Multi-Adapter-Platine FR4 Epoxid Glasfaser-Laminat 35μm 2-seitig 23.5 x 13.5 x 1.5mm SOT, Kupferstärke: 35µm, Länge: 23.5mm, Breite: 13.5mm, MPN: RE906
    • Nuvotem Talema Ringkerntransformator, Primär 230V ac / Sekundär 2 x 6V ac, 30VA 2 Ausg., 2.5A 580g 81.3 (Dia.) x 39.1mm, Durchmesser: 81.3mm, Befestigungsbohrung Durchmesser: M5, MPN: 0030P1-2-006K
    • Texas Instruments Power-Over-Ethernet-PD-Controller Circuit alimenté (PD) Type 3 PG, Programmierbare UVLO, Thermische, MPN: TPS2376DDA-H

    Texas Instruments Power-Over-Ethernet-PD-Controller Circuit alimenté (PD) Type 3 PG, Programmierbare UVLO, Thermische, MPN: TPS2376DDA-H

    Texas Instruments Power-Over-Ethernet-PD-Controller Circuit alimenté (PD) Type 3 PG, Programmierbare UVLO, Thermische.

    • Molex Micro-Fit 3.0 Vorverdrahtete Crimp-Kontakte verzinnt, Schwarz 0.34mm², 75mm, Crimp-Anschlussklemme 2: Nicht abgeschlossen, Crimp-Klemme 1 Gender: Stecknippel, Seriennummer: 214763, Nennstrom: 8,5 A, Drahttyp: UL 10002, Anschluss A Gender: Stecker, Anschluss A: Terminal Micro-Fit 3.0, MPN: 214763-1101
    • Molex Micro-Fit 3.0 Vorverdrahtete Crimp-Kontakte verzinnt, Schwarz 22AWG, 150mm, Crimp-Anschlussklemme 2: Nicht abgeschlossen, Crimp-Klemme 1 Gender: Stecknippel, Seriennummer: 214763, Nennstrom: 8,5 A, Drahttyp: UL 10002, Anschluss A Gender: Stecker, Anschluss A: Terminal Micro-Fit 3.0, MPN: 214763-1102
    • Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSP171PH6327XTSA1
    • Telemecanique Sensors XT M30 Näherungssensor Kapazitiv, Gewinderohr 10 mm PNP 24 VDC / 200 mA NO+NC, IP20, Verbindungstyp: M12, Länge: 80mm, Montagetyp: Bündig, Gleichspannung max.: 24V, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +70°C, Schaltfrequenz max.: 25Hz, MPN: XT530B1PCM12
    • Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSP171PH6327XTSA1
    • Telemecanique Sensors XT M30 Näherungssensor Kapazitiv, Gewinderohr 10 mm PNP 24 VDC / 200 mA NO+NC, IP20, Verbindungstyp: M12, Länge: 80mm, Montagetyp: Bündig, Gleichspannung max.: 24V, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +70°C, Schaltfrequenz max.: 25Hz, MPN: XT530B1PCM12