Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 85 A 57 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 7,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 5.49mm, MPN: BSC050N04LSGATMA1
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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 85 A 57 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 85 A 57 W, 8-Pin TDSON | |
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