onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.01mm, Länge: 3.04mm, MPN: NVR1P02T1G
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Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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