Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 3 A, 3-Pin SOT-23

Name: Vishay? Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 3 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand Max.: 11 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si2387DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: ABDT-123646
Price: 421.20 EUR
Availability: InStock

About The : 2.: 11 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 3 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 11 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si2387DS-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics EPROM-Chip 32MBit SPI ECOPACK2 8-Pin, MPN: M95P32-IXCST/EF

RS PRO Kohleschicht Widerstand 100kΩ ±5% / 2W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: -700 → 0ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 3 A, 3-Pin SOT-23
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Last Updated January 11th, 2025 09:36 am

Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 3 A, 3-Pin SOT-23

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Bourns 3386 1-Gang THT Trimmer-Potentiometer, Seitliche Einstellung, 2.2kΩ, ±10%, 0.5W, Lötstift, L. 9.53mm

: +125°C, MPN: 3386H-1-222LF. 9.Bourns 3386 1-Gang THT Trimmer-Potentiometer, Seitliche Einstellung, 2.5W, Lötstift, L.

HARTING har-flexicon Klemmstreifen Horizontal, 8-polig / 1-reihig, Raster 5mm, Nicht ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, MPN: 14120816050000

HARTING har-flexicon Klemmstreifen Horizontal, 8-polig / 1-reihig, Raster 5mm, Nicht ummantelt.

Panasonic ERJU Dickschicht SMD-Widerstand 3kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJU08F3001V

Panasonic ERJU Dickschicht SMD-Widerstand 3kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse.

Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 5,4 A, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0827 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si3129DV-T1-GE3

Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 5,4 A, 6-Pin TSOP-6.

Nexperia PDTC114TU,115 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, UMT 3-Pin, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 10 kΩ, Widerstandsverhältnis: Keine

Nexperia PDTC114TU,115 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, UMT 3-Pin.

RS PRO Kohleschicht Widerstand 100kΩ ±5% / 2W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: -700 → 0ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C

RS PRO Kohleschicht Widerstand 100kΩ ±5% / 2W.