STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 750 V / 25 A, 4-Pin PowerFLAT 5x6 HV

Name: STMicroelectronics - STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 750 V / 25 A, 4-Pin PowerFLAT 5x6 HV, MPN: SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: ABDT-123654
Price: 409.20 EUR
Availability: InStock

About The STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 750 V / 25 A, 4-Pin PowerFLAT 5x6 HV, MPN: SGT65R65AL

STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 750 V / 25 A, 4-Pin PowerFLAT 5x6 HV, MPN: SGT65R65AL

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics Stromfühler-Verstärker TSC2010IDT, Single SO 8-Pin

Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0098 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si6423ADQ-T1-GE3

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Specifications of STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 750 V / 25 A, 4-Pin PowerFLAT 5x6 HV
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Last Updated January 4th, 2025 04:20 pm

STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 750 V / 25 A, 4-Pin PowerFLAT 5x6 HV

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Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 46 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0193 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.6V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SI7469ADP-T1-RE3

Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 46 A, 8-Pin PowerPAK SO-8.

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0295 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si7454FDP-T1-RE3

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8.

STMicroelectronics SCR Gesteuerter Gleichrichter 38 TO-247 1200V 400A, MPN: TN6050-12WL

STMicroelectronics SCR Gesteuerter Gleichrichter 38 TO-247 1200V 400A.

Hirschmann GM Ventilsteckverbinder DIN 43650 B Buchse 2P+E / 250 V, M16 Schraubmontage, Grau, Montagetyp: Schrauben, Nennstrom: 16A, Kabeldurchmesser: 4.5 → 7mm, MPN: 934456106 GM 216 NJ grau

Hirschmann GM Ventilsteckverbinder DIN 43650 B Buchse 2P+E / 250 V, M16 Schraubmontage, Grau.

STMicroelectronics TVS-Diode Uni-Directional Einfach 265V 144V min., 2-Pin, PCB-Montage JEDEC, MPN: SM30T152AY

, 2-Pin, PCB-Montage JEDEC.STMicroelectronics TVS-Diode Uni-Directional Einfach 265V 144V min.

Murata LQH Drosselspule, 6,8 μH 1.05A mit Ferrit-Kern, 2520 Gehäuse 2.5mm / ±20%, Minimum of 35MHz, Tiefe: 2mm, Höhe: 1.1mm, Abmessungen: 2.5 x 2 x 1.1mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 310mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +105 (Ambient) °C, +125 (Product) °C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: LQH2HPZ6R8MJRL

05A mit Ferrit-Kern, 2520 Gehäuse 2.5mm / ±20%, Minimum of 35MHz.Murata LQH Drosselspule, 6,8 μH 1.

Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0098 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si6423ADQ-T1-GE3

Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP.