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Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247AC

About The .: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHG080N60E-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247AC

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247AC

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Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247AC
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Phoenix Contact Schraubstecker Schraubstecker, MPN: 1539525

Phoenix Contact Schraubstecker Schraubstecker, MPN: 1539525

Phoenix Contact Schraubstecker Schraubstecker.

    • Vishay Resistor, Wirewound;0.1 Ohms;3 W;+/-1%;Axial;Ceramic;0.032 In.;1.5 In.;1000 VAC, MPN: RS02BR1000FE12
    • STMicroelectronics Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, TTL 3 A 5.5V 8-Pin SO-8 30ns, Anzahl der Treiber: 1, MPN: STGAP2GSNCTR
    • Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

    Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

    Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8.

    • ABB S200M Leitungsschutzschalter Typ Z, Pol 2 10A 400V, Abschaltvermögen 15 kA System Pro M Compact, DC-Nennspannung: 125V, MPN: 355211

    ABB S200M Leitungsschutzschalter Typ Z, Pol 2 10A 400V, Abschaltvermögen 15 kA System Pro M Compact, DC-Nennspannung: 125V, MPN: 355211

    ABB S200M Leitungsschutzschalter Typ Z, Pol 2 10A 400V, Abschaltvermögen 15 kA System Pro M Compact.

    • RS PRO Kohleschicht Widerstand 10Ω ±5% / 2W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: -500 → +350ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C
    • Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHG080N60E-GE3
    • Nexperia PDTC124ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 22 kΩ
    • Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHG080N60E-GE3
    • Nexperia PDTC124ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 22 kΩ