Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 9 A SO-8

Name: Infineon - Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 9 A SO-8, MPN: IRF7324TRPBF
Brand: Infineon
SKU: ABDT-124495
Price: 61.80 EUR
Availability: InStock

About The Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 9 A SO-8, MPN: IRF7324TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 9 A SO-8, MPN: IRF7324TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Knipex 91 92 180 Zange, gebogen 180 mm, Zangentyp: Universalzange, VDE 1000V zugelassen: Nein, Material/Stoff: Qualität-Werkzeugstahl, Spitzen-Art: Abgewinkelt

Broadcom ACPL SMD Optokoppler DC-In / Transistor-Out, 5-Pin SOIC, Isolation 3750 V eff., Durchlassspannung max.: 1.85V, Regelanstiegszeit: 6ns, Eingangsstrom max.: 10 mA, Logik Ausgang: Ja, MPN: ACPL-M484-000E

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 9 A SO-8
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Last Updated December 23rd, 2024 10:44 am

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 9 A SO-8

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RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 220kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C

25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse.RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 220kΩ ±1% / 0.

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 5,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.35mm, MPN: BSC035N04LSGATMA1

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON.

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 225 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.35mm, MPN: BSC22DN20NS3GATMA1

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON.

Yageo Dickschicht Widerstand 0Ω ±5% / 0.05W, 0201 (0603M) Gehäuse, MPN: AC0201JR-070RL

Yageo Dickschicht Widerstand 0Ω ±5% / 0.05W, 0201 (0603M) Gehäuse.

onsemi Brückengleichrichter, 1-phasig 1.5A 800V SMD 1.1V SDIP 4-Pin 5μA, Konfiguration: Single, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 50A, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Stoßspitzensperrstrom: 5µA, Länge: 8.51mm, Abmessungen: 8.51 x 6.5 x 3.3mm, MPN: DF08S

1V SDIP 4-Pin 5μA.5A 800V SMD 1.onsemi Brückengleichrichter, 1-phasig 1.

Broadcom ACPL SMD Optokoppler DC-In / Transistor-Out, 5-Pin SOIC, Isolation 3750 V eff., Durchlassspannung max.: 1.85V, Regelanstiegszeit: 6ns, Eingangsstrom max.: 10 mA, Logik Ausgang: Ja, MPN: ACPL-M484-000E

Broadcom ACPL SMD Optokoppler DC-In / Transistor-Out, 5-Pin SOIC, Isolation 3750 V eff..