Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON
About The .: 5,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 5,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.35mm, MPN: BSC035N04LSGATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON | |
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