Nexperia SMD Schottky Diode, 30V / 3A, 2-Pin SOD-128

Name: Nexperia - Nexperia SMD Schottky Diode, 30V / 3A, 2-Pin SOD-128, Diodenkonfiguration: Einfach, Maximaler Spannungsabfall: 360mV, Stoßstrom-Grenzwert Nichtperiodisch: 50A, MPN: PMEG3030EP
Brand: Nexperia
SKU: ABDT-12550
Price: 54.00 EUR
Availability: InStock

About The Nexperia SMD Schottky Diode, 30V / 3A, 2-Pin SOD-128, Diodenkonfiguration: Einfach, Maximaler Spannungsabfall: 360mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 50A, MPN: PMEG3030EP

Nexperia SMD Schottky Diode, 30V / 3A, 2-Pin SOD-128, Diodenkonfiguration: Einfach, Maximaler Spannungsabfall: 360mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 50A, MPN: PMEG3030EP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Schottky-Dioden und Gleichrichter

SMC CU Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 15mm, Ausführung: Zweifach, MPN: CDUK20-15D

Eaton SMD Induktivität, 2,2 μH 25.5A mit Ferrit-Kern, 0127 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 8mm, Abmessungen: 12.5 x 12.5 x 8mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 4.02mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: DR127-2R2-R

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Specifications of Nexperia SMD Schottky Diode, 30V / 3A, 2-Pin SOD-128
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Last Updated December 28th, 2024 09:28 pm

Nexperia SMD Schottky Diode, 30V / 3A, 2-Pin SOD-128

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WJ Furse Polypropylen Blitzschutz Bandhalter, 25 x 3mm, Tiefe: 381mm, Höhe: 292.1mm, Breite: 457.2mm, MPN: 7TCA083550R0007 CP015

WJ Furse Polypropylen Blitzschutz Bandhalter, 25 x 3mm.

Amphenol Industrial Amphenol SC Rundsteckverbinder Buchse 2-polig / 20.0A Kabelmontage Leiterplatte IP68, Steckergröße: Standard, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 450,0 V, Verbindungstyp: Gewinde, Gehäusematerial: Polymer, Kontakt-Format: 2P, Kontaktbeschichtung: Vernickelt, MPN: SC-L-PG12-02-GN

0A Kabelmontage Leiterplatte IP68.

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.01mm, Länge: 10.41mm, MPN: IRFBF30PBF

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB.

RF Solutions HF-Modul 868MHz FM moduliert, 1.8 → 3.6V, Empfindlichkeit des Empfängers: -121dBm, Abmessungen: 16.5 x 19.25 x 1mm, Länge: 16.5mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: –20 °C, Breite: 19.25mm, MPN: ZPT-8TS

6V.8 → 3.

Eaton SMD Induktivität, 150 μH 3.01A mit Ferrit-Kern, 0127 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 8mm, Abmessungen: 12.5 x 12.5 x 8mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 247mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: DR127-151-R

5mm / ±20%, 100kHz.01A mit Ferrit-Kern, 0127 Gehäuse 12.Eaton SMD Induktivität, 150 μH 3.

Eaton SMD Induktivität, 2,2 μH 25.5A mit Ferrit-Kern, 0127 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 8mm, Abmessungen: 12.5 x 12.5 x 8mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 4.02mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: DR127-2R2-R

Eaton SMD Induktivität, 2,2 μH 25.5A mit Ferrit-Kern, 0127 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 100kHz.