onsemi QFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 850 mA 2,2 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,35 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FQT4N20LTF
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Onsemi QFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 850 MA 2,2 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Onsemi QFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 850 MA 2,2 W, 3-Pin SOT-223 | |
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