Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23
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onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.92mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NDS352AP
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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