onsemi NSV60600MZ4T1G SMD, PNP Bipolartransistor –60 V / -6 A 1 MHz, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin, Verlustleistung max.: 800 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: –100 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: –6 V, Abmessungen: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: -0,35 V
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Onsemi NSV60600MZ4T1G SMD, PNP Bipolartransistor –60 V / -6 A 1 MHz, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin
Specifications of Onsemi NSV60600MZ4T1G SMD, PNP Bipolartransistor –60 V / -6 A 1 MHz, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin | |
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