Onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 2 A HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach

Name: Onsemi | Onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 2 A HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung Max.: 5 V, Montage-Typ: THT, Anzahl Der Elemente Pro Chip: 1, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Max.: 2,5 V, Kollektor-Abschaltstrom Max.: 2mA, Abmessungen: 10.28 X 4.82 X 15.75mm, MPN: TIP111G
Brand: onsemi
SKU: ABDT-13010
Price: 8.69 EUR
Availability: InStock

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onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 2 A HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: THT, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 2,5 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: 2mA, Abmessungen: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, MPN: TIP111G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Darlington Transistoren

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TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 348Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8348RBYA

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Specifications of Onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 2 A HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach
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Last Updated December 16th, 2024 10:25 pm

Onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 2 A HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach

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onsemi NSS60600MZ4T1G SMD, PNP Bipolartransistor –60 V / -6 A 1 MHz, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin, Verlustleistung max.: 800 mW, Gleichstromverstärkung min.: 70, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: –100 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: –6 V, Abmessungen: 6.7 x 3.7 x 1.65mm

onsemi NSS60600MZ4T1G SMD, PNP Bipolartransistor –60 V / -6 A 1 MHz, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin.

ABB AS-1 Hilfsschütz / 4 A 3 Schließer, 1 Öffner, Steuerspannung: 24 V, MPN: ABB1SBH103001R8131

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TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 348Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8348RBYA

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