STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP260N6F6
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
Specifications of STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220 | |
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