STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 5V, Gate-Schwellenspannung min.: ±25 V, Länge: 6
STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 420 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: STD11N60DM2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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| Category | |
| Instock | instock |
![TE Connectivity Rundsteckverbinder Rückgehäuse, Kabelclip/Klemmenart: Kabelklemme, Bündeldurchmesser max.: 11.2mm, Material: Polyamid 6.6, Farbe: Schwarz, Länge: 32mm, Breite: 25,8 mm, Verhalten im Brandfall: Selbstverlöschend, Maße [L x B (x T)]: 32 x 25.8mm, Betriebstemperatur max.: +120°C, Betriebstemperaturbereich: -40 → +120 °C., Serie: HDSCS, MPN: 965786-1](/op/android/logo.png){kind=logo}