STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5 A 96 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: STD5NM60T4
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STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5 A 96 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5 A 96 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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