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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 74 A 89 W, 5-Pin DFN

About The : 11,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 74 A 89 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 74 A 89 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 11,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTMFS6H836NT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 74 A 89 W, 5-Pin DFN

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Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 74 A 89 W, 5-Pin DFN

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