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SAM Gripzange Schneidkraft → 34 280 Mm

About The SAM Gripzange Schneidkraft → 34 280 mm, Stückzahl: 1, VDE 1000V zugelassen: Nein, Material/Stoff: CrV-Stahl, MPN: 223-28

SAM Gripzange Schneidkraft → 34 280 mm, Stückzahl: 1, VDE 1000V zugelassen: Nein, Material/Stoff: CrV-Stahl, MPN: 223-28

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge > Handwerkzeuge > Zangen & Schneider > Zangen

SAM Gripzange Schneidkraft → 34 280 Mm

Molex 15020 Flachbandkabel FFC, 35-adrig, Raster 0.5mm Nicht abgeschlossen, Länge: 51mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebsspannung: 60 V ac, Nennstrom: 500 mA, Betriebstemperaturbereich: -40 → +105 °C, Standards: IEC 61249-2-21, MPN: 15020-1054

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: SIR680DP-T1-RE3

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Specifications of SAM Gripzange Schneidkraft → 34 280 Mm
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Last Updated January 30th, 2025 12:21 am

SAM Gripzange Schneidkraft → 34 280 Mm

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Schneider Electric Frontplatte, 500 x 200mm, für PrismaSeT PrismaSeT G-Gehäuse PrismaSeT, Länge: 500mm, Material: Stahl, MPN: LVS03231

Schneider Electric Frontplatte, 500 x 200mm, für PrismaSeT PrismaSeT G-Gehäuse PrismaSeT.

Schneider Electric Abdeckplatte, 90 x 46mm, für PrismaSeT G Frontplatte, PrismaSeT P Frontplatte PrismaSeT, Länge: 90mm, Material: Kunststoff, MPN: LVS03221

Schneider Electric Abdeckplatte, 90 x 46mm, für PrismaSeT G Frontplatte, PrismaSeT P Frontplatte PrismaSeT.

Dormer A170 HSS Spiralbohrer 19.05mm x 152,4 mm, Anschliffwinkel 118°, MPN: A1703/4

05mm x 152,4 mm, Anschliffwinkel 118°.Dormer A170 HSS Spiralbohrer 19.

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 5,05 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.25mm, MPN: SIR668DP-T1-RE3

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8.

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 5,05 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.25mm, MPN: SIR668DP-T1-RE3

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8.