Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The : -20 V, +20 V, Länge: 6.Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 5,05 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.25mm, MPN: SIR668DP-T1-RE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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